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华为电磁兼容性结构设计规范V20.
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时间:2019.06.25
上传者:feiniao2008
华为电磁兼容性结构设计规范V20.
模拟电子仿真实验120例.rar
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时间:2023.08.18
上传者:kbcell9
模拟电子仿真实验120例.rar
模拟电子
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电源完整性设计详解
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时间:2019.06.17
上传者:feiniao2008
电源完整性设计详解——原创:于争博士
强烈推荐-实用电子技术丛书
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上传者:牛渔曦
本系列丛书,自百度网盘创立便开始珍藏,至今也没有完全浏览完毕,分为28个大类(文件夹目录如下),每个大类又分为很多小类,文件夹套文件夹,所以到现在也没有完全统计出,到底有多书籍、文档。少则数千,多则数
通信电源技术基础(华为内部设计参考)
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上传者:feiniao2008
为通信系统的“心脏”,通信电源在通信局(站)中具有无可比拟的重要地位。它包含的内容非常广泛,不仅包含作为通信系统的“心脏”,通信电源在通信局(站)中具有无可比拟的重要地位。它包含的内容非常广泛,不仅包
最强电容讲座·实战篇
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时间:2019.05.27
上传者:feiniao2008
贴片铝电解液电容的制造方法,贴片铝电解液电容是如今的显卡上最常见的电容之一。大家看完本章后,就能明白这种电容是如何从原材料变成现在的模样了。事实上其它种类的贴片电解电容,例如铝固体聚合物电容的制造方法
变压器设计总结
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变压器的最基本型式,包括两组绕有导线之线圈,并且彼此以电感方式称合一起。当一交流电流(具有某一已知频率)流于其中之一组线圈时,于另一组线圈中将感应出具有相同频率之交流电压,而感应的电压大小取决于两线圈
开关电源环路设计与计算
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时间:2019.05.23
上传者:feiniao2008
本文的主要内容为开关电源简介,开关电源环路分析、环路补偿,一个基于OB2263的12W电源环路设计实例。
电线接法图解大全-电线接头接法规范
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时间:2019.05.27
上传者:feiniao2008
电线接头接法图解是很多人在接电线接头时都想了解知道的,电线接头是大家在生活中经常做的一件事,很多人对于电线接头接法都不了解以致在电线接头时出错,这样会给后期的用电带来很大的不便.
总结:DCDC转换电路设计10大原则(图文+案例).docx
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时间:2024.05.16
上传者:张红川
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10
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碳化硅MOS应用充电桩
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时间:2022.02.15
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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时间:2019.06.14
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目的﹕提供PCB设计参考安全間距标准二﹐適用范围﹕单面板、碳墨板﹑銀貫板﹑雙面板制作
12个电路+10个知识点,讲透了开关模式下的电源电流检测!.docx
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时间:2024.05.16
上传者:张红川
12个电路+10个知识点,讲透了开关模式下的电源电流检测!.docx
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讲透
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碳化硅MOS应用车载OBC,动力电池充电模块
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时间:2022.02.16
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
碳化硅
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SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
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时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
sic
碳化硅
mos
pd
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碳化硅MOS应用于双向DCDC(LLC,移相全桥,DAB)
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时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
双向
dcdc
llc
移相全桥
dab
1200W开关电源设计原理图、PCB图.zip
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻
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